文字|半导体行业具有垂直和水平两维的材料，可重写芯片限制。在数字时代，现代技术核心的芯片始终与小型化晶体管的过程密切相关。从最初的微米到当今的纳米水平，晶体管的持续下降促进了计算机功率的指数增长，这支持了许多领域的快速发展，例如智能终端，航空航天设备和人工智能。但是，随着晶体管接近物理极限，基于硅的传统材料的性能瓶颈变得越来越突出。如何打破这一限制并发展速度更小，更快，节省能源是一个关键问题，这是一个关键的问题，而不是世界半行业驱动程序需要紧急解决。印度甘地纳加尔技术学院（IIT-GN）和美国宾夕法尼亚州立大学最近进行了联合调查GHT是这个问题的新亮点。研究团队已成功将二吡啶钛转变为稳定的纳米哈斯，重点是两种维度材料的领域。已经证实，它可以用作薄原子晶体管的门绝缘子，并且已经证实，重要的基础将用于将来的小型化和在半导体设备上的性能跳跃。相关的结果发表在国际杂志《国际顶级ACS Nano》中，该杂志以“ Nanohas衍生为原子罪晶体管的门”，引起了该行业的广泛关注。门绝缘子：在半导体设备中晶体管性能的“不可见调节器”中，晶体管的功能中心是更改和放大控制电流流的信号，而门绝缘子是此过程的“键调节器”。它在晶体管门和导电通道之间。电压应用直接影响开关速度，能耗和设备可靠性。随着晶体管大小继续减少到纳米级，门绝缘子的性能面临严重的挑战。当厚度降至一定水平，增加能量损失并降低设备的稳定性时，传统材料（例如二氧化硅）可能会导致严重泄漏。因此，Ultra delgado的身体厚度并找到具有出色介电特性的新材料已成为破坏晶体管微型化瓶颈的核心任务。 Professor Kabia Jasja of the School of Technology INdia de Gandhinagar said: “Two -dimensional semiconductors are an important direction to solve this problem. The atomic level thick Resistant to abrasion, electrodes, etc. important indicator to measure the capacity of a material to be loaded) is significantly greater than the capaciTraditional silicon dioxide dos, and its defect density is very low, allowing an effective leakage抑制远程，可以在几个原子水平上准确控制该纳米哈的厚度。根据研究团队的说法，这是世界上第一次将纳诺霍斯衍生自迪布罗罗（Diboruro）用作高性能门绝缘子。实验数据基于材料，其晶体管切换比（设备泡芙糕点）。设备的辣是基于材料。测量不安的中心参数（在理想设备级别附近至少10°）表明它连续数千个工作时间稳定。跨境合作与未来的可能性：从一个实验室到另一个实验室的创新研究潜力是印度甘地纳加尔技术学院与美国州立大学的详细合作。印度团队领导材料的整合和表征，以使用2D材料领域的积累来开发有效的环境温度制备过程emistry。美国团队根据他们在半导体设备工程方面的经验完成了晶体管Nanohjas的集成和验证，重点是设备设计和电气性能测试。 Professor Saptarshi DAS of the State University of Pennsylvania said: “This model of interdisciplinary and transnational collaboration has accelerated conversion into basic research applications. The successful application of the Nanohojas de Titanio de Diboride not only provides new door insulators for two two -dimensional transistors, but also expands the application of bolid materials in the electronic field in the field of field.”对于该行业而言，这项研究的重要性远远超出了单一材料的发现。检查在半导体设备上应用非常规材料（例如保龄球）的潜力，并提供了破坏氧化物和氮化物传统局限性的新思想。同时，采用环境温度解决方案处理过程降低了大规模准备的成本阈值，并为未来的工业生产奠定了基础。探索未来，研究团队计划从三个方向转移这一结果。首先，我们优化了大多数纳米哈斯的准备过程，并探索大型技术，例如滚动生产（滚动到滚动）。其次，它将与更多类型的两种二维半导体材料（例如二硫键钼和黑磷）集成在一起，以开发高性能的逻辑设备和传感器。第三，在新兴领域（例如量子计算和灵活的电子设备）中进行投资应用程序，并使用其原子厚度和缺陷属性来解决Chkubit的脱碳和柔性底物兼容性等问题。 Ja Suja教授说：“随着半导体行业逐渐解决了摩尔法律的物理限制，两种维度将成为NU下一代设备的率。节能。”
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